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BFP 720FESD H6327详细规格: 类别：RF 晶体管 (BJT); 描述：TRANS RF NPN 45GHZ 4.7V TSFP-4; 系列：-; 制造商：Infineon Technologies; 晶体管类型：NPN; 电压_集电极发射极击穿（最大）：4.7V; 频率_转换：45GHz; 噪声系数（dB典型值0a0频率）：0.5dB ~ 1.3dB @ 150MHz ~ 10GHz; 增益：10dB ~ 29dB; 功率_最大：100mW; 在某IceeeVce时的最小直流电流增益333hFE444：160 @ 15mA，3V; 电流_集电极333Ic444（最大）：30mA; 安装类型：表面贴装; 封装/外壳：4-SMD，扁平引线; 供应商设备封装：4-TSFP; 包装：带卷 (TR)

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C0805C272K5HACTU
陶瓷 Kemet 0805（2012 公制） CAP CER 2700PF 50V 10% X8R 0805
BMI-S-102
RF 屏蔽 Laird Technologies EMI 0805（2012 公制） BOARD SHIELD .65X.65" 1PIECE
BFP 183W E6327
RF 晶体管 (BJT) Infineon Technologies SC-82A，SOT-343 TRANSISTOR NPN RF 12V SOT-343
BFP 720FESD E6327
RF 晶体管 (BJT) Infineon Technologies 4-SMD，扁平引线 TRANS RF NPN 45GHZ 4.7V TSFP4
C0603X5R0J473M
陶瓷 TDK Corporation 0201（0603 公制） CAP CER 0.047UF 6.3V X5R 0201
BR24L04-W
存储器 Rohm Semiconductor 8-DIP（0.300"，7.62mm） IC EEPROM 4KBIT 400KHZ 8DIP
C0603C154K5RACTU
陶瓷 Kemet 0603（1608 公制） CAP CER 0.15UF 50V 10% X7R 0603
C1812C823J5GACTU
陶瓷 Kemet 1812（4532 公制） CAP CER 0.082UF 50V 5% NP0 1812
C0805C272K5HACTU
陶瓷 Kemet 0805（2012 公制） CAP CER 2700PF 50V 10% X8R 0805
BFP 193 E6327
RF 晶体管 (BJT) Infineon Technologies TO-253-4，TO-253AA TRANSISTOR NPN RF 12V SOT-143
BR24L08FJ-WE2
存储器 Rohm Semiconductor 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） IC EEPROM 8KBIT 400KHZ 8SOP
C0603C154K5RACTU
陶瓷 Kemet 0603（1608 公制） CAP CER 0.15UF 50V 10% X7R 0603
C0603X5R0J473M
陶瓷 TDK Corporation 0201（0603 公制） CAP CER 0.047UF 6.3V X5R 0201
C1812C824K5RACTU
陶瓷 Kemet 1812（4532 公制） CAP CER 0.82UF 50V 10% X7R 1812
BMI-S-103
RF 屏蔽 Laird Technologies EMI 1812（4532 公制） BOARD SHIELD 1.032X1.032" 1PIECE